第九届全国MOCVD会议论文集下载

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自1989年召开第一届全国MOCVD会议至今已过了16个年头，几经轮回，第九届全国MOCVD会议又回到了第一届会议举行的地点-安徽黄山。地点虽然依旧，但我国的MOCVD研究工作却发生了翻天覆地的变化。参会单位从最初的十多家发展到七十多家，参会人数也从最初的30多人发展到200多人，日本、新加坡、台湾和香港的多家研究机构和院校也前来参加会议，使该次会议成为颇具规模和影响的全国性专业学术会议。本届会议较前几届会议不仅规模大得多，而且投寄的论文数也为历届之最，包括企业报告在内超过160篇，论文所涉及的内容更为广泛，同时还有不少创新性的工作。这一现象充分反映了我国MOCVD工作近年来取得的巨大进展，显示了广大MOCVD工作者对我国的科研和产业发展所做出的贡献。每两年召开一次的MOCVD会议为全国从事MOCVD工作的人员提供了相互了解和交流的机会，通过编辑会议论文用以展示我国在这一领域的新进展和新成就，探讨急需解决的问题和将来的发展方向，促进相关产业与研究机构的联系和沟通。但因为篇幅所限，本论文集中只能登载会议论文的摘要。毫无疑问，这本文集并不能充分反映研究人员在MOCVD工作中所付出的努力和取得的成果。我们只是希望能它能为广大科研工作者起到相互交流的桥梁作用。国家自然科学基金委员会，科技部，信息产业部，中国科学院等历来对我国的MOCVD研究工作都给以高度的关注和支持，是我国MOCVD事业得以发展的重要原因，本次会议也都派人前来参加。我们借此机会表示由衷的感谢。E- 大会报告 E-1 MOVPE GROWTH AND Chemical Vapor Deposition and with periodic silane burst S. J. Chua, K. Y. Zang and L. S. Wang E-8 ealization chemical vapor deposition X. W. SunE-9 MOCVD growth nitride base MOS Ching-Ting LeeE-14 GaN基MOCVD生长从实验室到产业化 陈弘,周均铭E-15 MOCVD Research at the Hong Kong University Technology (HKUST)Kei May LauE-16 Uncooled InAsSb Long-Wavelength (3-12μm) Infrared Photo-detectors DEVICES>MOCVD法制备金属—陶瓷功能梯度材料的研究 章娴君,郑慧雯,张庆熙,王显祥F-8 MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长ZnO薄膜 叶志镇,徐伟中,江柳,曾煜嘉,朱丽萍,赵炳辉F-9 p型ZnO薄膜的MOCVD法生长及特性研究杜国同，马艳，张源涛，杨天鹏，刘维峰，崔勇国F-10 MOVPE用磷、砷源的进展 陆大成,段树坤F-11 Ⅵ/Ⅱ族比率对MOVPE生长的碲镉汞薄膜形貌的影响 杨玉林,宋炳文,姬荣斌F-12 Si基异质外延ZnO单晶薄膜的生长研究 朱俊杰，姚然，朱拉拉，林碧霞，傅竹西A- 分会交流 A-1 模糊预测PID控制在MOCVD温度控制系统中的方法研究 过润秋,赵恒,杜凯A-2 WinCC 在MOCVD监控系统中的应用 过润秋 冯兰胜A-3 MOCVD系统的控制策略与编程技巧 过润秋,杜凯,赵恒A-4 A-15 新颖的复合CVD技术制备SOFC单电池 高建峰，孟广耀A-16 紫外光化学气相沉积生长Al2O3薄膜 王祖敏，陈明亮，张俊颖A-17 立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长 叶志镇,朱丽萍,赵炳辉,唐海平,洪炜A-18 国产MO源的规模化生产技术 徐昕,陈化冰,包维军,孙祥祯A-19 纯三甲基铟规模化生产技术 陈化冰,徐昕,孙明璐,孙祥祯A-20 A SILVER CARBOXYLATESJianlin Han, Yingzhong Shen, Chunxiang Li, Yizhi Li, Yi PanA-21 PHOSPHINE COORDINATED SILVER ?,? -UNSATURATED CARBOXYLATESJianlin Han, Yingzhong Shen, Chunxiang Li, Yizhi Li, Yi PanA-22 光纤用高纯四氯化锗的纯度分析 虞磊,赵蕾,吕宝源,潘毅A-23 有机铜源的研制 计燕秋,裴凯A-24 高纯超净氨中的杂质检测 张琳,江波 A-25 高纯三氯化硼制备方法 申家善,张蕊A-26 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体特种气体 赵毅A-27 六氟化钨的合成 张琳,姜宏军A-28 甲基环戊二烯基镁的合成 裴凯,王勇平A-29 甲基环戊二烯基三羰基锰 江波,安华A-30 高纯异丙氧基锆的研制 裴凯,安华A-31 MOCVD前驱物M(DPM)3(M=Fe、Co)的制备和表征王艳艳,姜银珠,刘铭飞,高建峰,孟广耀A-32 热式质量流量控制器的原理 吴英B-分会交流B-1 InGaN/GaN多量子阱的结构和发光特性研究陈志忠，秦志新，童玉珍，杨志坚，陆曙，于彤军，胡晓东，吴铭坊，张国义B-2 用MOCVD－HVPE复合设备在硅衬底上生长厚膜GaN衬底材料 于英仪,刘祥林,焦春美,赵凤嫒,董向芸B-3 Si基外延GaN中缺陷的湿法腐蚀 赵丽伟,孙世龙,郝秋艳,滕晓云,王海云,刘彩池B-4 Si(111)外延GaN表面凹坑的形成机理研究 朱军山,徐岳生,刘彩池,王海云 B-5 Passivated the Surface>MOCVD法生长的P-GaN的Mg离子注入及退火研究罗浩俊,胡成余,姚淑德,秦志新,沈波,张国义B-17 大功率GaN基倒装焊UV-LED的反射电极的研究张敬东,于彤军,杨志坚,阎和平,张宁,穆森,张国义B-18 Cu衬底上的GaN基紫光激光器的制备 李倜,康香宁,包魁,陈为华,章蓓,胡晓东B-19 激光剥离对GaN基薄膜性质的影响 陈伟华，胡晓东，康香宁，聂瑞娟，张小平，张振生，杨志坚，张国义 B-20 LP—MOCVD生长InxGa1-xAs晶格失配的薄膜及其结构的分析张铁民,金亿鑫,缪国庆,王辉,吕文辉,李志明,赵海峰,蒋红,宋航B-21 非致冷InGaAs/InP红外探测器研究缪国庆,金亿鑫,殷景志,张铁民,蒋红,宋航 B-22 InAsSb材料低压mocvd生长汪韬,王一丁,赛小锋,殷景致,李晓婷,杨树人,王警卫,高鸿楷B-23 InGaAs应变量子阱大功率半导体激光器材料 杨红伟,刘英斌,赵润,陈宏泰 B-24 InGaAlN四元材料生长及物性研究 刘祥林,黎大兵B-25 MOCVD生长AlGaN/AlN/GaN HEMT结构材料王翠梅,王晓亮,胡国新,王军喜,冉军学,方测宝,李建平B-26 AlGaN/GaN HBT发射极帽层中缺陷的研究? 冉军学,王晓亮,胡国新,李建平B-27 MOCVD生长InxGa1-xN薄膜的与表征李亮,张荣,谢自力,刘斌,修向前,陈琳,韩平,顾书林,施毅,郑有斗B-28 四结级联太阳电池用InGaAsN材料的初步研究 乔在祥,陈文浚B-29 基于AlInGaAsP材料的应力平衡量子阱太阳能电池 孙强,许军,陈文浚,娄朝刚B-30 High-resolution X-ray study B-36 硅衬底上生长氮化镓的研究 刘祥林 陆沅C-分会交流C-1 ZnO MOCVD的生长与表征 顾书林,朱顺明,叶建东,郑有炓,张荣,施毅,杭寅C-2 ZnO MOCVD生长的计算机模拟刘松民,顾书林,朱顺明,叶建东,刘伟,周昕,郑有炓,张荣,施毅C-3 采用MOCVD方法在P型Si衬底上生长ZnO薄膜 张源涛，崔勇国，朱慧超，张宝林，杜国同C-4 用等离子体辅助的金属有机化学气相沉积方法制备ZnS纳米棒阵列 冯秋菊,申德振,张吉英,吕有明,范希武C-5 在GaAs衬底上用MOCVD法生长ZnO薄膜 崔勇国，朱慧超，张源涛，张宝林，杜国同C-6 MOCVD ZnO的湿法化学腐蚀研究周昕,顾书林,朱顺明,叶建东,刘松民,刘伟,郑有炓,张荣,施毅C-7 MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究 张雪川,张跃,王树彬C-8 Tang C-11 ZnO薄膜的结构和光学特性研究 苏凤莲，周圣明，徐军C-12 衬底预处理对MOCVD法生长ZnO薄膜的影响 王银珍,刘红霞,李抒智,刘世良,邹军,周圣明,徐军C-13 MOCVD法生长的ZnO外延膜在不同膜厚处结构性能的变化规律侯长民,黄科科,冯守华,高忠民,李向山,杜国同,马艳,张源涛C-14>MOCVD法生长ZnO纳米线 叶志镇,徐伟中,江柳,曾煜嘉,朱丽萍、,赵炳辉C-31 一种简单CVD方法生长ZnO薄膜过程分析及性能表征边继明,李效民,赵俊亮,张灿云,于伟东,高相东C-32 Photoluminescence and rectification characteristics>MOCVD法制备YSZ薄膜及其表征 刘铭飞,姜银珠,高建峰,王艳艳,孟广耀D-7 Study>MOCVD法制备软x射线多层膜 秦俊岭,易葵,邵建达D-19 MOCVD方法合成铁薄膜及其结构和磁性的研究刘可为,申德振,张吉英,冯秋菊,武晓杰,吕有明,范希武D-20 用光辅助MOCVD制作巨磁阻薄膜PCMO 廖学明D-21 型衬底材料?-LiAlO2晶体生长研究 邹军,周圣明,徐军,周国清,张连翰D-22 Anisotropic Growth of Cu Chains on Anisotropic Pd (110) Substrate Wu Feng-Min(吴锋民),Xu You-Sheng(许友生),Lin Ji(林机),Ye Gaoxiang(叶高翔)D-23 含氟羟基磷灰石作为涂层材料在钛基体表面的涂覆盛敏,马楚凡,赵康,陈永楠,井晓天D-24 结合MOCVD和化学置换方法制备硒化银（Ag2Se）纳米棒 洪亮，单崇新，刘壮，郝少康D-25 新型电致磷光材料的设计与合成 孙培培,李春香,潘毅D-26 TiAl3/Ti/n-GaN非合金化欧姆接触机理的研究胡成余,罗浩俊,秦志新,沈波,张国义