由单绕线变压器组成的50Ω/75Ω的阻抗变换电路

高频用测定器的输人输出阻抗一般为50Ω．由于映像关系为75Ω，所以用50Ω系列的测定器测试阻抗75Ω的电路时，如果有无电压损失的阻抗变换器就相当的便利。

图1是由单绕线变压器组成的阻抗变换电路的构成。直流信号不能传送，但可设计任意的匝数比，所以能够对应各种各样的阻抗。照片1表示用环形铁心制作的阻抗变换器的外观。

图1 50Ω/75Ω的阻抗变换电路

这里，针对50Ω/75Ω的阻抗变换器进行介绍并实验。

首先，进行匝数比的计算，匝数比的计算由阻抗比的平方裉决定。如N1，取适当的匝数，则

照片1 制作的阻抗变换电路的外观

如果想延伸低频特性，可尽量选择初透磁率μi的环形铁心，这里使用FT-82-75的铁心。这种铁心的初透磁率μi为5000，是透磁率最高的铁心（参照表6．1）。当N1＝50匝时，得到L1≈8.5mH，L2≈13mH。

照片2是测定50Ω或75Ω作终端时的输人阻抗－频率特性的波形。由50Ω→75Ω变换时，N2侧为75Ω的终端阻抗，由50Ω→75Ω变换时，输入输出相反，N1侧以50Ω为终端进行测定。

照片2 制作的电路输人阻抗－频率特性（上面为75Ω→50Ω，下面为50Ω→75Ω，f＝1kHz～10MHz）

低频时的阻抗下降，这是由于线圈的电抗（XL＝2πft）变低的缘故。相反地，表示的在数MHz处的上升曲线，可认为是由泄露电感和浮游电容组成的并联共振所引起的。

照片3表示50Ω→75Ω变换连接时的频率相位特性。低频的衰减特性由线圈的电感引起，实际上从所需频带卜决定了匝数。

照片3 50Ω→75Ω变换时的增益相位特性（f＝l00Hz～lOMHz，3dB/div，20°/div.）