反射损耗桥式电路的制作

图1 制作的反射损耗桥式电路

为了桥平衡的调整，插人可变阻抗（50Ω），调整到使低频时的反射损耗最大。一方面，高频时的平衡会因电路的对称性、杂散电容而使特性变化很大，所以要附加调整用的数十皮法的补偿电容器。

RF输出为进行平衡一不平衡单端变换，使用变压器T2（单纯的1：1变压器），为改善高频时的平衡度附加T1。

试作的印制电路板如照片1所示，本来应封装在金属盒内，其高频域的特性与市场的出售品相比，性能较劣。

照片1 制作的反射损耗桥式电路的外观（实际应该封装在金属盒内）

照片2是制作的反射损耗桥的特性，当Rx＝∞（和短路相同）及RX＝75Ω时的特性，与前面介绍的WILTRON公司的反射损耗桥62NF50相类似。

照片2 制作的反射损耗电桥的特性（f=1O0k～lOOMH2 lOdB/div.)

Rx＝50Ω处的低频域特性良好，在f＝lOMHz处有很大偏差、但反射损耗．30dB左右的倾向已经足够．