半导体分立元件的识别与检测

半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体器件是电子元器件中功能和品种最为复杂的一类器件。半导体分立器件包括二极管、三极管、场效应管和其他一些特殊的半导体器件。

半导体的电阻率为10--3～10-9Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

半导体器件的命名。根据我国国家标准(GB249-64)，半导体器件的型号由5个部分组成。

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二极管的识别与检测

二极管是由一个PN结，加上引线、接触电极和管壳而构成。

1．二极管的类型将PN结用外壳封装113S7V-T.html" target="_blank" title="CIM-113S7V-T">CIM-113S7V-T起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。

》按用途分：整流二极管、检波二极管、发光二极管、光电二极管、稳压二极管、变容二极管等。

》按材料分：硅管，多为面接触型，热稳定性好，反向电流小，适应于功率稍大的整流电路；锗管，多为点接触型，反向电流比硅管大，热稳定性较差，但工作频率高，适应于离频整流与极波电路。

②反向击穿电压V。。和最大反向工作电压V。M。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM-般只按反向击穿电压VBR的一半计算。

③反向电流J。。在室温和规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管的反向电流在微安(11A)级。

④正向压降VF。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下为0.6～0.8V;锗二极管为0.2～0.3V。

⑤动态电阻rd。反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即：

rd=△VF/△IF

⑥半导体二极管的温度特性温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(Vd)大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以从图1-20所示二极管的伏安特性曲线上看出。

在实际应用中，二极管的有关参数是通过查器件乎册获得的。