单结晶体管的结构与特性

1．单结晶体管的结构单结晶体管的结构。单结晶体管有3个电极，即发射极E，第一基极Bi，第二基极B2，因管内只有一个PN结，所以称为单结晶体管或双基极二极管。

2．伏安特性在基极电源电压UBB一定时，单结晶体管的电压、电流特性可用发射极电流，IE和发射极与第一基极B1之间的电压UE的关系曲线来表示，该曲线又称为单结晶体管伏安特性。

从上图可以看出，单结晶体管伏安特性曲线可以分为3个区域。3个区域的分界点是P（称为峰点）和V（称为谷点）。Up、Ip分别称为峰点电压和峰点电流，它们是单结晶体管从截止变导通所需的发射极电压、电流；Uv、Iv分别称为谷点电压和谷点电流，它们是维持单结晶体管导通的最小电压和电流。

UP=UD+UA≈UA=RB1/(RB1+RB2)UBB=ηUβB

式中：η=RB1/(RB1+RB2)称为单结晶体管的分压比，一般为0．5～0．8。上式表明峰点电压随基极电压改变而改变，实用中应注意这一点。

1)截止区截止区对应74HCT4051N.html" target="_blank" title="74HCT4051N">74HCT4051N曲线中的起始段OP，此段UE

2)负阻区负阻区对应曲线中的PV段。当UE>UD+UA后，等效二极管导通，使R。，迅速减小，IE增大；IE增大又进一步促RB1使减小。从E、B．两端看，UE随IE的增大而减小，即具有负阻特性，这是单结晶体管特有的。

3)饱和区饱和区对应曲线中的V点以后段，过V点后，E再继续增大，RB1将变大，单结晶体管进入饱和导通状态，又呈现正阻特性，与二极管正向特性相似。

综上所述，单结晶体管具有以下几个特点：

(1)当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压减小到UE

(2)单结晶体管的发射极与第一基极之间的RB1是一个阻值随发射极电流增大而变小的电阻，RB2则是一个与发射极电流无关的电阻。

(3)不同的单结晶体管有不同的UP和Uv。同一个单结晶体簪，电源电压UBB不同，它的UP和U。也有所不同。在触发电路中常选用Uv小一些或Iv大一些的单结晶体管。