CMOS与非门组成的压控振荡器电路
日期：2012-7-23图是用CMOS与非门组成的压控振荡器电路。
图示线路类似图C的电路，C由可调的CX代替，R由用VA调节的NMOS管代替。R变化范围为1~10千欧，其最小值由被并联的R1（10千欧）和NMOS管所决定。NMOS管一般从
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图是用CMOS与非门组成的压控振荡器电路。
图示线路类似图C的电路，C由可调的CX代替，R由用VA调节的NMOS管代替。R变化范围为1~10千欧，其最小值由被并联的R1（10千欧）和NMOS管所决定。NMOS管一般从
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