多家晶片业高层探讨3D IC以及往7nm节点发展的途径

GlobalFoundries公司正在仔细考虑其20nm节点的低功耗和高性能等不同制程技术，而在此同时，多家晶片业高层也齐聚一堂，共同探讨即将在2014年来临的3D IC，以及进一步往7nm节点发展的途径。

IBM的专家指出，下一代的20nm节点可支援最佳化的低功耗和高性能制程技术。而GlobalFoundries将在今年八月决定，是否提供这些不同的制程选项。

这些仅仅是今年度GSA SILICON SUMMIT 上讨论的两个焦点。与会的晶片业高层还讨论了预计在2014年到来，但仍面临诸多挑战的3D IC ，以及脚步缓慢但仍然预见可朝7nm 迈进的CMOS 微缩技术。

“台积电最近表示其20nm 节点在制程最佳化方面并没有显着差异，但我并不这么认为，” IBM 院士暨微电子部门首席技术专家Subramanian Iyer说。“我相信，在相同的节点上??，你可以拥有两种不同的制程，”他在主题演讲中表示。

事实上， GlobalFoundries 正在考虑是否是在为20nm 提供高性能和低功耗制程。

“我们仍在与主要客户讨论该做些什么，针对性能和功耗方面，可能要做出更多取舍，” GlobalFoundries 先进技术架构主管Subramani Kengeri表示。

他指出， 20nm 的变化空间可能相对更加狭小，而且从经济面来看也未必可行。IBM的Iyer则认为，台积电决定仅提供一种20nm制程，其经济面的考量可能多于技术面。

接下来，采用FinFET的14nm制程，则将为晶片产业开创更大的机会，如提供0.9V的高性能版本，以及0.6V的低功耗变种制程等。此外，与传统转移到一个新制程节点相较，14nm节点可提供的利益也预估将高出两倍之多。

从历史角度来看，要为每一个节点提供不同制程变化，都会需要在基础制程上添加独特且复杂的特性，IBM的Iyer说。他指出，过去，我们在每一代制程节点都拥有不同功能的制程，现在不大可能骤然让它们完全消失。

20nm仍有变化空间??，Subramanian Iyer说

2014年，迎接3D IC到来

此外，晶片业高层也探讨了几种可望在2014年量产，采用矽穿孔(TSV)的3D IC。

思科系统(Cisco Systems)封装专家暨技术品质部副总裁Mark Brillhart表示，3D IC将改变游戏规则。他认为3D IC将有几种不同的形式，而且很快就会步入大量应用。

“自1996年的覆晶封装技术热潮以来，我从未想像过封装技术能再次令人感到振奋，”Brillhart说。

高通(QUALCOMM)“非常高兴”能在实验室中采用XILINX的2.5D FPGA来开发原型，高通工程部副总裁Nick Yu表示。他预计，运用TSV来链接Wide I/O的高阶智慧手机用行动应用处理器最快今年或明年便可问世。

“我们会在许多不同领域看到这些强大的3D技术，”IBM的Iyer表示，他们已经制造出了数款使用TSV堆叠处理器和DRAM的原型产品。

目前的CPU有8～12个核心，未来还将朝采用3D IC技术，堆叠24个核心与DRAM还有散热片的方向发展。IBM也对于‘在矽中介层上建构系统’(system on an interposer)的2.5D模组深感兴趣，在这些模组中，记忆体晶片在矽基板上围绕着处理器而建置，并使用去耦电容来改善功率调节性能。

“这个领域不断出现更多的创新，它们将带来更显着的差异化，但共同点在于它们都将提供适合行动应用的优势，”他补充说。

但3D晶片仍有许多待解的难题。工程师仍不知如何解决3D IC产生的热问题，他们需要新的测试策略和制造工具，他们也正在推动各领域的设计师们形成新的供应链，就各种技术和商业问题展开深入合作及探索。