FM27C512型 524288位（64K x 8）高性能CMOS EPROM

一般说明

FM27C512是一种高性能512K紫外可擦除电可编程只读存储器（EPROM）。它采用Fairchild专有的CMOS AMG™EPROM技术制造，实现了速度和经济性的完美结合，同时提供卓越的可靠性。FM27C512提供基于微处理器的系统存储操作系统和应用软件部分的容量。其90 ns访问时间提供无等待状态操作高性能CPU。FM27C512提供一个单片机100%固定设备代码存储要求的解决方案。常用的软件程序很快从EPROM存储器执行，大大提高了系统的实用性。FM27C512在标准的JEDEC EPROM中配置为以下系统提供简单升级路径的pinout目前正在使用标准EPROM。方块图2001年5月FM27C512是高密度EPROM系列的一个成员密度范围高达4兆位。

特征

高性能CMOS-90、120、150 ns访问时间快速关闭微处理器兼容性制造商识别码JEDEC标准引脚配置-32针PLCC封装-28针CERDIP封装

绝对最大额定值（注释1）储存温度-65°C至+150°C除A9外的所有输入电压相对于地面-0.6V至+7VVPP和A9相对于地-0.7V至+14V

VCC电源电压相对于地面-0.6V至+7VESD保护（MIL标准883，方法3015.2）>2000V所有输出电压相对于地VCC+1.0V至地-0.6V

注1：在“绝对最大额定值”下列出的应力可能对设备造成永久性损坏。这只是一个压力等级和功能操作在本规范操作章节中所述的上述条件或任何其他条件下的装置并非隐含的。暴露于绝对最大额定值条件下长时间使用可能会影响设备的可靠性。

注2：该参数仅取样，未经100%测试。

注3：在CE下降边缘后，在不影响tACC的情况下，OE可能会延迟至tACC–tOE。

注4：tDF和tCF比较水平确定如下：高到三态，测量VOH1（DC）-0.10V；低至三态，测量VOL1（DC）+0.10V。

注5：三态可使用OE或CE实现。

注6:EPROM的电源开关特性需要小心的设备去耦。建议在每个装置上至少使用0.1μF陶瓷电容器在VCC和GND之间。

注7：输出必须限制在VCC+1.0V，以避免锁存和设备损坏。

注8:1 TTL栅极：IOL=1.6毫安，IOH=-400微安。CL:100 pF包括夹具电容。

注9：输入和输出可能低于-2.0V，最大20 ns。

功能描述设备操作：表1列出了EPROM的六种运行模式。它应注意的是，六种模式的所有输入都处于TTL水平。所需电源为VCC和OE/VPP。运行经验/虚拟专用程序在三次编程期间，电源必须为12.75 V模式，在其他三种模式下必须为5V。VCC在三次编程过程中，电源必须为6.5V模式，其他三种模式为5V。读取模式EPROM有两个控制功能，它们都必须是逻辑上是活动的，以便在输出端获得数据。芯片启用（CE/PGM）是电源控制，应用于设备选择。输出启用（OE/VPP）是输出控制，应该用于将数据传送到输出管脚，与设备无关选择。假设地址是稳定的，地址访问时间（tACC）等于从CE到输出（tCE）的延迟。数据是在输出前束处，在OE下降沿后可用，假设CE一直很低，地址至少稳定了一段时间tACC-脚趾。待机模式EPROM有一个备用模式，可以降低有功功率从220兆瓦到0.55兆瓦，损耗超过99%。

EPROM通过将CMOS高信号应用于CE/PGM输入。当处于待机模式时，输出处于高阻抗状态，独立于OE输入。输出禁用通过应用TTL high，EPROM处于输出禁用状态发送到OE输入的信号。当输入输出禁用时，所有电路已启用，但输出处于高阻抗状态（三态）。输出或键入因为EPROM通常用于较大的内存阵列，Fairchild提供了一个二线控制功能，可容纳多个内存连接的使用。二线控制功能允许：1.尽可能低的内存功耗，以及2.完全保证输出总线争用不会发生。为了最有效地使用这两条控制线，建议CE/PGM被解码并用作主要的设备选择功能，而OE/VPP则成为所有设备的公共连接阵列中的设备，并连接到系统控制总线。这确保所有取消选择的内存设备都处于低位电源待机模式和输出引脚仅激活当需要特定存储设备的数据时。

程序设计注意：如果插脚22（OE/VPP）上的电压超过14伏，将损坏埃普罗姆。最初，在每次擦除之后，EPROM的所有位都在“1”状态。通过选择性编程“0”引入数据进入所需的位位置。虽然只有“0”将被编程，但“1”和“0”都可以在数据字中显示。将“0”改为“1”的唯一方法是紫外线擦除。当OE/VPP处于12.75V。要求至少放置一个0.1μF的电容器通过VCC接地抑制杂散电压瞬变可能会损坏设备。要编程的数据是并行应用8位到数据输出管脚。所需水平因为地址和数据输入是TTL。当地址和数据稳定时，一个活跃的低TTL程序脉冲应用于CE/PGM输入。程序脉冲必须是应用于要编程的每个地址位置。EPROM使用图1所示的涡轮编程算法进行编程。每个地址都用一系列50秒脉冲，直到验证良好，最多达到10脉冲。大多数存储单元将使用单个50微秒脉冲进行编程。（标准的国家半导体算法也可以是使用，但编程时间较长。）EPROM不得使用应用于CE/PGM输入。用同一数据并行编程多个EPROM由于编程简单，容易实现要求。当用相同的数据编程时，并行EPROM的类似输入可以连接在一起。应用于CE/PGM输入程序的低电平TTL脉冲并行EPROM。

程序禁止用不同的数据并行编程多个eprom是也容易做到。除了CE/PGM所有类似的输入并行eprom的（包括OE/VPP）可能是常见的。一个应用于EPROM的CE/PGM的TTL低电平程序脉冲在12.75V电压下输入OE/VPP将对该EPROM进行编程。TTL高CE/PGM级输入禁止对其他EPROM进行编程。程序验证应在编程位上进行验证，以确定是否正确编程。在VIL用OE/VPP和CE完成验证。数据应经过TDV验证在CE下降边缘之后。编程后不透明标签应贴在EPROM窗口上防止无意擦除。遮住窗户也会防止由于生成照片而导致的临时功能故障海流。制造商识别码EPROM有一个制造商的识别码来帮助编程。当设备插入EPROM编程器插座时，编程器读取代码，然后自动调用部分。这种自动编程控制只有在有读代码能力的程序员。制造商的识别码，如表2所示，专门用于识别制造商和设备类型。的代码FM27C512是“8F85”，其中“8F”表示它是由飞兆半导体，“85”表示512K部件。通过对地址引脚A9施加12V±0.5V电压来访问该代码。地址A1-A8、A10-A16和所有控制销

功能说明（续）。地址pin A0保存在VIL，用于制造商的代码，并保留在VIH以获取设备代码。代码在八个数据管脚，O0–O7。只有保证正确的代码访问在25°C±5°C下。擦除特性设备的擦除特性是这样的当暴露在波长较短的光下时开始发生大于约4000埃。应该指出的是日光灯和某些类型的荧光灯有波长在3000至4000奥内。EPROM建议的擦除程序是暴露在波长为2537奥。综合剂量（即紫外线强度x暴露时间）擦除应至少为15W sec/cm~2。EPROM应放置在灯管的1英寸范围内在擦除过程中。有些灯的灯管上有一个过滤器应在擦除前删除擦除系统应定期校准。距离从灯到装置的距离应保持在1英寸。抹去时间随着距离灯距离的平方而增加（如果距离加倍擦除时间增加4倍）。灯随着年龄的增长而减弱。当一盏灯被更换时距离改变或灯老化，系统应检查以确定正在进行完全擦除。不完整擦除会导致可能误导的症状。当不完全擦除是问题时，程序员、组件甚至系统设计都被错误地怀疑。系统考虑EPROMs的功率开关特性需要注意设备的去耦。电源电流ICC有三个系统设计器感兴趣的段：备用电流水平、有功电流水平和暂态电流由输入引脚上的电压跃迁产生的峰值。这个这些瞬态电流峰值的大小取决于装置输出电容负载。相关VCC通过适当的选择可以抑制瞬态电压峰值去耦电容器。建议至少为0.1μF在VCC和地面。这应该是一个低固有频率的高频电容器电感。此外，至少有一个4.7μF的块状电解电容器应在VCC和GND之间为每八个设备使用。这个大容量电容器应位于电源附近连接到阵列。大容量电容器的用途是克服PC板痕迹。

模式选择表1列出了FM27C512的工作模式。读取模式下需要一个5V电源。所有输入均为TTL除VPP和A9之外的级别用于设备。