ZXTN25100BFH 100V，SOT23，中功率晶体管

摘要

BVCEX> 170V

BVCEO> 100V

BVECO> 6V

IC（续）= 3A

VCE（sat）<80mV @ 1A

RCE（sat）= 67m？

PD = 1.25W

辅助部件号ZXTP25100BFH

描述

先进的工艺能力和包装设计已被用于

最大化这个小轮廓的功率处理和性能

晶体管。该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择

适用于空间有限的应用。

特征

•高功耗SOT23封装

•饱和电压低

•170V正向阻断电压

应用

•灯泡继电器和电磁阀驱动器

•汽车和工业应用中的一般切换

•电机驱动和控制

绝对最大额定值

笔记：

（a）对于安装在15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB上的器件表面，具有高覆盖率的单面1oz铜，

仍然是空气条件。

（b）安装在25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。

（c）安装在50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。

（d）如上所述（c）在t <5secs时测量。

参数符号限制单位

集电极电压VCBO 170 V.

集电极 - 发射极电压（正向阻断）VCEX 170 V.

集电极 - 发射极电压VCEO 100 V.

发射极 - 集电极电压（反向阻断）VECO 6 V.

发射极电压VEBO 7V

连续集电极电流（b）IC 3 A.

峰值脉冲电流ICM 9 A.

Tamb = 25°C时的功耗（a）PD 0.73 W.

线性降额系数5.84 mW /°C

Tamb = 25°C时的功耗（b）PD 1.05 W

线性降额系数8.4 mW /°C

Tamb = 25°C时的功耗（c）PD 1.25 W.

线性降额系数9.6 mW /°C

Tamb = 25°C时的功耗（d）PD 1.81 W

线性降额系数14.5 mW /°C

操作和储存温度范围Tj

，Tstg - 55至150°C

热阻

参数符号限制单位

接点到环境（a）RJA 171°C / W.

接点到环境（b）RJA 119°C / W.

接点到环境（c）RJA 100°C / W.

接点到环境（d）RJA 69°C / W.

电气特性（除非另有说明，Tamb = 25°C）

参数符号最小值典型。最大。单位条件

收集器故障

电压

BVCBO 170 220 V IC = 100A

集电极 - 发射极击穿

电压（正向阻断）

BVCEX 170 210 IC = 100A，RBE <1k？要么

-1V <VBE <0.25V

集电极 - 发射极击穿

电压（基极开路）

BVCEO 100 120 V IC = 10mA（*）

笔记：

（*）在脉冲条件下测量。脉冲宽度？ 300S;占空比 ？ 2％。

发射极 - 集电极击穿

电压（反向阻断）

BVECX 6 7 VIE = 100A，RBC <1k？要么

0.25V> VBC> -0.25V

发射极 - 集电极击穿

电压（基极开路）

BVECO 6 8.4 V IE = 100A，

发射极击穿

电压

BVEBO 7 8 VIE = 100A

集电极截止电流ICBO <1 50

20

nA的

一个

VCB = 136V

VCB = 136V，Tamb = 100℃

集电极发射极截止电流ICEX - 100 nA VCE = 136V; RBE <1k？要么

-1V <VBE <0.25V

发射极截止电流IEBO <1 50 nA VEB = 5.6V

集电极 - 发射极饱和度

电压

VCE（sat）40 55 mV IC = 0.5A，IB = 50mA（*）

100 135 mV IC = 0.5A，IB = 10mA（*）

70 80 mV IC = 1A，IB = 100mA（*）

200 250 mV IC = 3A，IB = 300mA（*）

基极 - 发射极饱和电压VBE（sat）940 1050 mV IC = 3A，IB = 300mA（*）

基极 - 发射极导通电压VBE（on）890 1000 mV IC = 3A，VCE = 2V（*）

静态正向电流传输比

hFE 100 200 300 IC = 10mA，VCE = 2V（*）

50 85 IC = 1A，VCE = 2V（*）

20 IC = 3A，VCE = 2V（*）

转换频率fT 160 MHz IC = 100mA，VCE = 5V

f = 100MHz

输出电容COBO 9.4 20 pF VCB = 10V，f = 1MHz（*）

延迟时间t（d）16 ns VCC = 10V。 IC = 500mA，

上升时间t IB1 = IB2 = 50mA。 （r）55 ns

存储时间t（s）677 ns

下降时间t（f）95 ns