飞兆FDC5614P 60V P沟道逻辑电平功率沟槽MOS管

FDC5614P是60V P通道逻辑电平电源沟道MOSFET，这款60V的P沟道MOS采用飞兆半导体的高电压电源沟道工艺。它已经被优化为电源管理应用程序。

应用

•DC-DC转换器

•负载开关

•电源管理

特征

•–3 A，–60 V.rds（开）=0.105Ω@vgs=–10 V

rds（开）=0.135Ω@vgs=–4.5 V

•快速切换速度

•高性能沟槽技术

低RDS（on）

•快速切换

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-6

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 3 A

Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: FDC5614P

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

宽度: 1.6 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 8 S

CNHTS: 8541210000

下降时间: 10 ns

HTS代码: 8541290095

MXHTS: 85412999

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

TARIC: 8541290000

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: FDC5614P_NL

单位重量: 30 mg