DS12885实时时钟
日期：2019-3-19DS12885实时时钟加RAM可直接替代DS1285。该DS12885在形式，适用性和功能上与DS1285完全相同，并且还具有64字节的通用性目的RAM。访问此额外RAM空间由AD6上的逻辑电平决定在访问周期的地址部分期间。外部晶体和电池是唯一的组件需要在没有电源的情况下保持时间和记忆状态。有关完整说明除X1，X2之外的工作条件，电气特性，总线时序和引脚说明，V BAT 和RCLR 。
引脚描述
x1，x2–标准32.768kHz石英晶体的连接。内部振荡器电路是
设计用于使用规定负载电容（cl）为6pF的晶体。水晶是
直接连接到x1和x2针。不需要外部电容器或电阻器。注：X1
x2是非常高的阻抗节点。建议他们和水晶被保护环
接地和高频信号要远离晶体区。
振荡器的启动时间高度依赖于晶体特性和布局。高ESR和
启动时间长的主要原因是负载过大。使用晶体的电路
推荐的特性和遵循推荐的布局通常在一秒钟内开始。
vbat–任何标准3V锂电池或其他能源的电池输入。蓄电池电压必须为
保持在2.5伏和4伏之间，以便正常工作。在+25°C条件下，在没有
应使用电力来确定外部能源的大小。最大负荷用
建议晶体类型连接到x1和x2。
电池应直接连接到vbat针。二极管不得与
电池连接到vbat针。此外，不需要二极管，因为反向充电电流保护
电路在设备内部提供，并已通过保险商的要求。
RCLR–RCLR引脚用于清除（设置为逻辑1）通用RAM的所有114个字节，但确实如此
不影响与实时时钟相关联的RAM。为了清除压头，必须强制RCLR
在不应用VCC的情况下，在电池备份模式下输入逻辑“0”（-0.3V至+0.8V）。RCR
功能设计用于人机界面（手动或通过开关对地短路），而不是
用外部缓冲器驱动。此销在内部向上拉。不要使用外部上拉电阻
这个别针。
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时钟精度
时钟的精度取决于晶体的精度和匹配的精度。
在振荡器电路的电容负载和晶体的电容负载之间
修剪。温度漂移引起的晶体频率漂移增加了附加误差。外部的
耦合到振荡器电路中的电路噪声会导致时钟快速运行。
关键特性
直接替代IBM AT计算机时钟/日历
RTC计算秒、分、时、星期、日、月、年信息，具有润年补偿，有效期至2099年
用二进制或BCD表示时间
具有AM、PM标示的12小时模式或24小时模式
夏时制选择
可选择Intel或Motorola总线时序
接口配合软件可寻址128 RAM
14字节时钟与控制寄存器
114字节通用、电池备份RAM (DS12C887和DS12C887A为113字节)
清除RAM功能(DS12885、DS12887a-ic/" title="DS12887A">DS12887A和DS12C887A)
三路中断可分别通过软件屏蔽与检测
闹钟可设置为每秒一次至每星期一次
周期可设置在122μs至500ms
时钟终止刷新周期标志
可编程的方波输出信号
自动电源失效检测和切换电路
可选择28引脚PLCC表面贴装封装或32引脚TQFP封装(DS12885)
可选则集成了晶体和电池的DIP模块(EDIP)封装(DS12887、DS12887a-ic/" title="DS12887A">DS12887A、DS12C887、DS12C887A)
可选的工业级温度范围
应用
嵌入式系统
网络集线器、桥接器和路由器
安全系统
电表
规格
类型 时钟/日历
特性 警报器，夏令时，闰年，NVSRAM，方波输出
存储容量 114B
时间格式 HH：MM：SS（12/24小时）
日期格式 YY-MM-DD-DD
接口 并联
电压 - 电源 4.5V~5.5V
电压 - 电源，电池 2.5V~4V
电流 - 计时（最大） 15mA @ 4.5V~5.5V
工作温度 0°C~70°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 24-SOIC（0.295“，7.50mm宽）
供应商器件封装 24-SOIC
工作电路:
PIN封装:
