X5328、X5329（代替X25328、X25329）CPU管理器

带32Kbit SPI EEPROM的CPU管理器

功能•低VCC检测和重置断言-五个标准重置阈值电压-使用特殊编程顺序重新编程低VCC重置阈值电压-重置信号有效至VCC=1V•电池寿命长，功耗低-<1微安最大待机电流-<400微安最大读取活动电流•32Kbits EEPROM•内置意外写入保护-上电/断电保护电路-使用块锁保护0、1/4、1/2或所有EEPROM阵列™ 保护-电路内可编程只读存储器模式•2兆赫SPI接口模式（0、0和1、1）•最小化EEPROM编程时间-32字节页写入模式-自动定时写入周期-5毫秒写入周期（典型）•2.7伏至5.5伏和4.5伏至5.5伏电源操作•可用软件包-14 Ld TSSOP、8 Ld SOIC，8 Ld PDIP•提供无铅+退火（符合RoHS）

说明这些设备将三种常用功能，通电复位控制、电源电压监控和块锁保护串行EEPROM存储器结合在一起。这种组合降低了系统成本，减少了板空间需求，并提高了可靠性。向设备通电会激活通电复位电路，使复位/复位保持激活状态一段时间。这允许电源和振荡器在处理器执行代码之前稳定下来。当VCC低于最小VCC跳闸点时，设备的低VCC检测电路通过保持复位/复位激活来保护用户系统免受低电压条件的影响。复位/复位保持断言，直到VCC返回到正确的操作水平并稳定。有五个行业标准的VTRIP阈值可用，但是Intersil独特的电路允许重新编程阈值以满足自定义要求或在需要更高精度的应用中微调阈值。

工作原理

此电路在约1V时激活，并将复位/复位引脚激活。此信号防止系统微处理器在电压不足或振荡器稳定之前开始工作。当VCC超过设备VTRIP值200毫秒（标称）时，

低电压监测在运行期间，X5328/X5329监测VCC电平，如果电源电压低于预设的最小VTRIP，则断言复位/复位。复位/复位信号防止微处理器在断电或断电状态下工作。复位/复位信号保持激活，直到电压降到1V以下。它也保持激活，直到VCC返回并超过VTRIP 200毫秒。

重置/重置，使管脚保持未连接状态。然后将编程电压VP施加到SCK和SI以及脉

图1。设置VTRIP电压

将CS销、WP销和SCK销系紧。重置/重置，使管脚保持未连接状态。然后将编程电压VP

图2。重置VTRIP电压

VTRIP编程顺序流程图

样本VTRIP复位电路

直接与许多流行微控制器家族的同步串行外围接口（SPI）接口。它包含一个8位指令寄存器，可通过SI输入进行访问，数据在SCK的上升沿上进行时钟输入。在整个操作过程

写入启用闩锁设备包含写入启用闩锁。必须在启动写入操作之前设置此闩锁。WREN指令将设置闩锁，WRDI指令将重置闩锁（图3）。此闩锁在通电条件下和有效写入周期完成后自动重置。

状态寄存器RDSR指令提供对状态寄存器的访问。状态寄存器可以在任何时候被读取，即使在写入周期中也是如此。状态寄存器的格式如下：

正在写入（WIP）位是易失性只读位，指示设备是否正忙于内部非易失性写入操作。WIP位使用RDSR指令读取。当设置为“1”时，正在进行非易失性写入操作。当设置为“0”时，不进行写入。

写入启用闩锁（WEL）位指示写入启用闩锁的状态。当WEL=1时，锁存设置为高，当WEL=0时，锁存设置为低。WEL位是一个不稳定的只读位。它可以由WREN指令设置，也可以由WRDS指令重置。块锁位BL0和BL1设置块锁保护的级别。这些非易失性位使用WRSR指令编程，允许用户保护EEPROM阵列的四分之一、一半、全部或全部。数组中受块锁保护的任何部分都可以读取，但不能写入。它将保持保护，直到BL位被改变，以禁用该部分内存的块锁保护。

读取EEPROM阵列序列

读取顺序当从EEPROM存储器阵列读取时，CS首先被拉低以选择设备。8位读取指令被发送到设备，然后是16位地址。在发送读取的操作码和地址后，存储在存储器中选定地址的数据将在SO行上移出。通过继续提供时钟脉冲，可以顺序读取存储在下一地址的存储器中的数据。每个字节的数据移出后，地址会自动递增到下一个更高的地址。当达到最高地址时，地址计数器滚动到地址$0000，允许无限期地继续读取周期。读取操作将以CS high结束。请参阅读取EEPROM阵列序列（图1）。要读取状态寄存器，首先将CS行拉低以选择设备，然后是8位RDSR指令。在发送RDSR操作码之后，状态寄存器的内容在SO行上移位。请参阅读取状态寄存器序列（图）。

在尝试将数据写入设备之前，必须先通过发出WREN指令来设置“Write Enable”锁存器（WEL）（图）。CS先被设为低位，然后WREN指令被计时到设备中。在指令的所有8位被发送之后，必须将CS设为高位。如果用户在发出WREN指令后继续执行写操作而不将CS设为HIGH，则会忽略写操作。要将数据写入EEPROM存储器阵列，用户随后发出写指令，然后是16位地址，然后是要写入的数据。任何未使用的地址位都被指定为“0”。写操作最少需要32个时钟。CS必须在运行期间保持低电平和低电平。如果地址计数器到达一页的末尾并且时钟继续，则计数器将回滚到该页的第一个地址并覆盖以前可能写入的任何数据。

对于要完成的页写入操作（字节或页写入），只有在最后一个要写入的数据字节的第0位被打卡之后，才可以将CS调高。如果在任何其他时间将其调高，则写操作将不会完成（图）。要写入状态寄存器，WRSR指令后面跟着要写入的数据（图）。数据位0和1必须为“0”。当在状态寄存器或EEPROM序列之后进行写入时，可以读取状态寄存器以检查在制品位。在此期间，WIP位将处于高位。

操作说明设备在以下状态下通电：–设备处于低功耗待机状态。–在CS上需要从高到低的转换才能进入活动状态并接收指令。–所以引脚是高阻抗的。–写入启用闩锁复位。–标志位复位。–tPURST的复位信号激活。

数据保护包括以下电路以防止意外写入：–必须发出WREN指令以设置写启用闩锁。–为了启动非易失性写入循环，CS必须在正确的时钟计数下达到较高的值。

读取状态寄存器序列

写入启用闩锁序列

写入序列

状态寄存器写入顺序

符号表

偏压下的绝对最高额定温度………-65°C至+135°C

储存温度………-65°C至+150°C

任何针电压相对于VSS。-1.0伏至+7VD、 C类

输出电流…………5mA引线温度（焊接，10s）……300°C

上述“绝对最大额定值”中列出的注释应力可能会对设备造成永久性损坏。这只是一个应力额定值；并不意味着设备的功能操作（在本规范操作章节所列条件之上的这些或任何其他条件下）。长期暴露在绝对最大额定条件下可能会影响设备的可靠性。

串行输入定时

串行输出定时

上电和断电时间

VTRIP设置条件

VTRIP复位条件

包装信息

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注：所有尺寸单位为英寸（括号内为毫米）

包装信息

14铅塑料小轮廓鸥翼包装S型