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| 型号: | TH50VSF3580AASB |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LFBGA, BGA69,10X12,32 |
| 针数： | 69 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.28 |
| 最长访问时间： | 90 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 FLASH AND CONTAINS SRAM CONFIGURED AS 512K X 16 OR 1M X 8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B69 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 |
| 混合内存类型： | FLASH+SRAM |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 69 |
| 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 2MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA69,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.67 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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