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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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产品型号TH58NVG1S3AFT05的概述

TH58NVG1S3AFT05 芯片概述 TH58NVG1S3AFT05 是东芝(Toshiba)公司生产的一款高密度 NAND Flash 存储芯片。该芯片广泛应用于各种电子设备中,包括智能手机、平板电脑、SSD、数字相机等。随着技术的不断发展,对存储设备的需求也在不断增加,TH58NVG1S3AFT05 作为一款高性能、高可靠性的 NAND Flash 存储器,满足了现代设备在速度和容量方面的种种要求。 详细参数 TH58NVG1S3AFT05 的主要参数如下: 1. 存储类型:NAND Flash 2. 存储容量:理论上为 8GB;提供 1,024 个页,256K字节每页。 3. 数据传输速率:每个存储单元具有较高的读取和写入速度,能够满足快速数据访问的需求。 4. 页面大小:每页 2048 字节,具有较高的访问效率。 5. 块大小:每个块包含 128 个页面。 6. 电源电压:...
配单直通车
TH58NVG1S3AFT05产品参数
型号:TH58NVG1S3AFT05
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.B.1
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.87
Is Samacsys:N
最长访问时间:45 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:2K
端子数量:48
字数:268435456 words
字数代码:256000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:2K words
并行/串行:SERIAL
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
切换位:NO
类型:NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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