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| 型号: | THGBM1G3D1EBAI8 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, |
| 针数： | 153 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B153 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 153 |
| 字数： | 1073741824 words |
| 字数代码： | 1000000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 1GX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 11.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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