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  • THGBMHT0V8LBAIG图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • THGBMHT0V8LBAIG
  • 数量17615 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装BGA 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
配单直通车
THGBMNG5D1LBAIT产品参数
型号:THGBMNG5D1LBAIT
生命周期:Active
包装说明:WFBGA-153
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73
JESD-30 代码:R-PBGA-B153
内存密度:34359738368 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:153
字数:4294967296 words
字数代码:4000000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:4GX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:SERIAL
编程电压:2.7 V
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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