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THS4521IDGKR产品参数
型号:THS4521IDGKR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:MSOP
包装说明:VSSOP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:1.13
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/569406.3.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=569406
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=569406
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=569406
Samacsys PartID:569406
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/THS4521IDGKR.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/THS4521IDGKR.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:DGK
Samacsys Released Date:2017-01-12 12:59:53
Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.9 µA
标称带宽 (3dB):9.3 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.9 µA
最小共模抑制比:80 dB
标称共模抑制比:102 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.18 µA
最大输入失调电压:2000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:3 mm
低-偏置:NO
低-失调:NO
微功率:NO
湿度敏感等级:2
负供电电压上限:
标称负供电电压 (Vsup):
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.19
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法:TR
峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO
电源:3.3/5 V
可编程功率:YES
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.07 mm
标称压摆率:490 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:1.25 mA
供电电压上限:5.5 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:95000 kHz
最小电压增益:100000
宽带:YES
宽度:3 mm
Base Number Matches:1
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