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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • TIP142 MOS(场效应管)图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • TIP142 MOS(场效应管)
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
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  • TIP142-ZJT图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • TIP142-ZJT
  • 数量25300 
  • 厂家ST原装 
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  • TIP142T图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量5784 
  • 厂家ST/FSC 
  • 封装TO-220 
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • TIP142
  • 数量112050 
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  • 北京首天国际有限公司

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  • TIP142FTU
  • 数量34850 
  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 数量30095 
  • 厂家YD 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家On Semiconductor 
  • 封装N/A 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • TIP142-3P
  • 数量167580 
  • 厂家ST 
  • 封装DIP SOP 
  • 批号16+ 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • TIP142TTU
  • 数量10000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO220 
  • 批号16+ 
  • 原装正品,假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • TIP142
  • 数量660000 
  • 厂家ST(意法半导体) 
  • 封装TO-247AC-3 
  • 批号23+ 
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产品型号TIP142的概述

芯片TIP142的概述 TIP142是一款广泛应用的功率晶体管,属于NPN型功率晶体管系列。它通常用于高电流和高电压的电路中,可承受和开关较大的负载,具有较高的增益以及较低的饱和电压。因此,TIP142非常适合用在电源开关、功率放大器、继电器驱动以及电动机控制等领域。 在电子电路中,TIP142的关键特性使得其成为设计中不可或缺的一部分。其主要特点包括高达100瓦的功率输出、可承受±60V的电压,以及频率响应的良好特性,使其能够支持各种应用场景。 芯片TIP142的详细参数 TIP142的主要参数如下: - 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 60V - 最大集电极电流 (I_C): 10A - 最大功耗 (P_D): 125W - 直流电流增益 (h_FE): 50 - 300 (在不同的工作条件下) - 开关速度 (t_f): 50ns - 反向电流 (I_R): 5mA - ...

产品型号TIP142的Datasheet PDF文件预览

TIP140/141/142  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
High DC Current Gain : h = 1000 @ V = 4V, I = 5A (Min.)  
Industrial Use  
Complement to TIP145/146/147  
FE CE C  
TO-3P  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP140  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP141  
: TIP142  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP140  
60  
80  
100  
V
V
V
: TIP141  
: TIP142  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
5
10  
V
A
R1  
R2  
I
I
I
C
E
15  
A
R1 8k  
R2 0.12kΩ  
CP  
B
0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
125  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
60  
80  
100  
V
V
V
: TIP140  
: TIP141  
: TIP142  
I
= 30mA, I = 0  
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP140  
CEO  
2
2
2
mA  
mA  
mA  
V
V
V
= 30V, I = 0  
B
CE  
CE  
CE  
: TIP141  
: TIP142  
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP140  
CBO  
1
1
1
mA  
mA  
mA  
V
V
V
= 60V, I = 0  
E
CB  
CB  
CB  
: TIP141  
: TIP142  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
2
mA  
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
BE C  
EBO  
1000  
500  
h
V
V
= 4V, I = 5A  
C
FE  
CE  
CE  
= 4V, I = 10A  
C
2
3
V
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 5A, I = 10mA  
B
CE  
C
C
= 10A, I = 40mA  
B
3.5  
3
V
V
V
t
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Delay Time  
I
= 10A, I = 40mA  
B
BE  
BE  
C
V
V
= 4V, I = 10A  
CE  
C
0.15  
0.55  
2.5  
V
I
= 30V, I = 5A  
µs  
µs  
µs  
µs  
D
CC  
C
= 20mA, I = -20mA  
t
t
t
Rise Time  
B1  
B2  
R
R = 6Ω  
L
Storage Time  
STG  
F
2.5  
Fall Time  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Typical Characteristics  
10  
100k  
10k  
1k  
IB = 2000uA  
9
IB = 800uA  
IB = 600uA  
VCE = 4V  
IB = 1800uA  
8
IB = 1600uA  
IB = 1400uA  
7
6
5
4
3
2
1
0
IB = 400uA  
IB = 200uA  
100  
10  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
Figure 1. Static Characteristic  
Figure 2. DC current Gain  
10  
1000  
100  
10  
IC=500IB  
f=0.1MHz  
VBE(sat)  
VCE(sat)  
1
0.1  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
1000  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE  
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Figure 4. Collector Output Capacitance  
150  
125  
100  
75  
100  
10  
1
50  
TIP140  
TIP141  
TIP142  
25  
0.1  
0
1
10  
100  
1000  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
Figure 5. Safe Operating Area  
Figure 6. Power Derating  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Package Demensions  
TO-3P  
15.60 ±0.20  
4.80 ±0.20  
13.60 ±0.20  
9.60 ±0.20  
+0.15  
ø3.20 ±0.10  
1.50  
–0.05  
2.00 ±0.20  
3.00 ±0.20  
1.00 ±0.20  
1.40 ±0.20  
+0.15  
–0.05  
0.60  
5.45TYP  
5.45TYP  
[5.45 ±0.30  
]
[5.45 ±0.30]  
Dimensions in Millimeters  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is  
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ACEx™  
HiSeC™  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
E2CMOS™  
FACT™  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
POP™  
PowerTrench®  
QFET™  
VCX™  
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QS™  
FAST®  
Quiet Series™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
FASTr™  
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1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
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2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
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Definition of Terms  
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Product Status  
Definition  
Advance Information  
Formative or In  
Design  
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Preliminary  
First Production  
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No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
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Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
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that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. E  
配单直通车
TIP142产品参数
型号:TIP142
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.015
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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