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TJ40S04M3L(T6L1,NQ产品参数和技术文档

TJ3965D-ADJ产品图

TJ40S04M3L(T6L1,NQ产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
0.72450
$1,449.00

TJ40S04M3L(T6L1,NQ产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 40A(Ta) 68W(Tc) DPAK+

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSVI

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):83nC @ 10V

Vgs(最大值):+10V,-20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4140pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):68W(Tc)

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK+

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

其它名称:TJ40S04M3L(T6L1NQ TJ40S04M3LT6L1NQ

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