TJ60S04M3L(T6L1,NQ产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3

详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：U-MOSVI

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.3 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：125nC @ 10V

Vgs（最大值）：+10V，-20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6510pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：90W（Tc）

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK+

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

其它名称：TJ60S04M3L(T6L1NQ TJ60S04M3LT6L1NQ

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）