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  • 八零友创集团

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 封装SOP-6 
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 飞弛宏元器件

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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TK10A50D(STA4,Q,M)产品参数和技术文档

TK10416MTL产品图

TK10A50D(STA4,Q,M)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
1.75960
$87.98

TK10A50D(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):720 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1050pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK10A50D(STA4QM) TK10A50DSTA4QM

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