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  • 深圳市正迈科技有限公司

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  • 深圳市恒意法科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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TK10P60W,RVQ产品参数和技术文档

TK10P60W产品图

TK10P60W,RVQ产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
1.38328
$2,766.56

TK10P60W,RVQ产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.7A(Ta) 80W(Tc) DPAK

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:DTMOSIV

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):430 毫欧 @ 4.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 300V

FET 功能:超级结

功率耗散(最大值):80W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

其它名称:TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQ TK10P60WRVQTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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