TK10P60W,RVQ产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.7A（Ta） 80W（Tc） DPAK

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：DTMOSIV

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：430 毫欧 @ 4.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 300V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：80W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

其它名称：TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQ TK10P60WRVQTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）