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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市莱利尔科技有限公司

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  • 深圳市南方世兴科技有限公司

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  • 上海贝尔电子有限公司

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TK11A45D(STA4,Q,M)产品参数和技术文档

TK11650UTL产品图

TK11A45D(STA4,Q,M)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
1.72220
$86.11

TK11A45D(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 450V 11A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):450V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1050pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):40W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK11A45D(STA4QM) TK11A45DSTA4QM

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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