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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • TK16A55D
  • 八零友创集团

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  • 深圳市国宇半导体科技有限公司

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  • 数量32365 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装TO-220SIS 
  • 批号19+ 
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  • TK16A55D(STA4,Q,M)
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Toshiba 
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 数量86720 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2021+ 
  • 代理授权原装正品价格最实惠,假一赔百
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  • 飞弛宏元器件

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  • 数量13550 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳市诺美思科技有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家RICHTEK/立锜 
  • 封装SOT23 
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  • 只做原装正品现货+订货★假一赔十★
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  • TK16A55DTA4
  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量18000 
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  • 封装TO-220F 
  • 批号原装ROHS 
  • 原装现货上海库存!专营进口元件
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 数量23550 
  • 厂家TOSHIBA东芝 
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  • 深圳市徕派德电子有限公司

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  • 数量1580 
  • 厂家Toshiba Semiconductor and Storage 
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市兴科泰科技有限公司

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TK16A55D(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 550V 16A(Ta) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):550V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):330 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2600pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):-

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK16A55D(STA4QM) TK16A55DSTA4QM

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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