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TK3P50D,RQ(S产品参数和技术文档

TK3P50D产品图

TK3P50D,RQ(S产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
0.54418
$1,088.36

TK3P50D,RQ(S产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Ta) 60W(Tc) DPAK

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):280pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

其它名称:TK3P50DRQ(S TK3P50DRQS

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