TK3P50D,RQ(S产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Ta） 60W（Tc） DPAK

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：280pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

其它名称：TK3P50DRQ(S TK3P50DRQS