TK40P04M1(T6RSS-Q)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 47W（Tc） DP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：U-MOSVI-H

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：40A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1920pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：47W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DP

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）