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TK40P04M1(T6RSS-Q)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 47W(Tc) DP

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSVI-H

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):29nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1920pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):47W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DP

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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