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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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TK4A60DA(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.5A(Ta) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 1.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):490pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):-

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK4A60DA(STA4QM) TK4A60DASTA4QM

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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