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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市金启宁科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 大源实业科技有限公司

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TK6A60W,S4VX产品参数和技术文档

TK6A60W产品图

TK6A60W,S4VX产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
2.09300
$104.65

TK6A60W,S4VX产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:DTMOSIV

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 3.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 300V

FET 功能:超级结

功率耗散(最大值):30W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK6A60W,S4VX(M TK6A60WS4VX

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