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TK6P53D(T6RSS-Q)产品参数和技术文档

TK6P53D产品图

TK6P53D(T6RSS-Q)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
0.72965
$1,459.30

TK6P53D(T6RSS-Q)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 6A(Ta) 100W(Tc) D-Pak

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):525V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):600pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):100W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D-Pak

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

其它名称:TK6P53DT6RSSQ

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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