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  • 八零友创集团

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  • 深圳市柯尔基电子有限公司

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  • 数量50000 
  • 厂家TOSHIBA 
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  • 批号11NPB 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量18000 
  • 厂家TOS 
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 厂家TOSHIBA 
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  • 批号2020+ 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家TOS 
  • 封装TO-220SIS 
  • 批号16+ 
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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装TO-220F 
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  • 原装正品现货,质量保证可出样品可开税票,销售热线 18680328178
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  • 深圳同贺科技有限公司

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  • 数量85596 
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  • 批号17+ 
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  • TK8A25DA,S4X(S
  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 数量370 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市亿芯益电子科技有限公司

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  • 深圳市兴科泰科技有限公司

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TK8A45D(STA4,Q,M)产品参数和技术文档

TK8A25DA产品图

TK8A45D(STA4,Q,M)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
1.48760
$74.38

TK8A45D(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 450V 8A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):450V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):900 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):35W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK8A45D(STA4QM) TK8A45DSTA4QM

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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