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产品型号TLC25L4CDR的概述

TLC25L4CDR芯片概述及详细参数 一、概述 TLC25L4CDR是一款高度集成的电压参考芯片,主要用于提供稳定的输出电压以满足各种电子应用中的电源需求。该芯片属于Texas Instruments(德州仪器)公司系列产品,专为高精度和高稳定性设计,广泛应用于医疗设备、工业控制、测量仪器等领域。 该芯片的设计旨在满足对电压参考的严格要求,以便为敏感的模拟电路提供可靠的基准电压。同时,TLC25L4CDR的低噪声和低漂移特性使其在长期运行中表现出色,是精密仪器及高性能系统中不可或缺的组件之一。 二、详细参数 TLC25L4CDR芯片的主要参数如下: - 输出电压:2.5V ±0.1% - 输入电压范围:4.5V至18V - 输出电流:最大可达20mA - 温度范围:-40°C 至 +125°C - 噪声(宽带):≤ 10μVRMS - 负载稳定性:≤ 0.05% (变化率) - 长...
配单直通车
TLC25L4CDR产品参数
型号:TLC25L4CDR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, SOIC-14
针数:14
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.00006 µA
标称共模抑制比:94 dB
最大输入失调电压:12000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e4
长度:8.65 mm
湿度敏感等级:1; 2
功能数量:4
端子数量:14
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):220; 260
座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:0.03 V/us
子类别:Operational Amplifier
供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:85 kHz
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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