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| 型号: | TLE2062MJGB |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | CERAMIC, DIP-8 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.05 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.03 µA |
| 标称共模抑制比： | 82 dB |
| 最大输入失调电压： | 7000 µV |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T8 |
| 长度： | 9.58 mm |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 负供电电压上限： | -19 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 标称压摆率： | 3.4 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 供电电压上限： | 19 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIFET |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 1300 kHz |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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