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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市炎凯科技有限公司

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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 绝对原装正品,可开13%专票,欢迎采购!!!
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市恒意法科技有限公司

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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 诚信经营,原装现货,假一赔十,欢迎咨询15323859243
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市旺能芯科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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产品型号TLE2161IDR的概述

芯片TLE2161IDR概述 TLE2161IDR是一款高性能的电流传感器集成电路,广泛应用于各种电流监测和控制系统中。该芯片在模拟信号处理、高精度电流测量和电流反馈控制等领域具有优越的性能,适合用于工业控制、电池管理和电力监测等应用。TLE2161IDR的设计考虑了系统效率、响应速度和集成规模,...
配单直通车
TLE2161IDR产品参数
型号:TLE2161IDR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOIC
包装说明:SO-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:0.81
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.000003 µA
最小共模抑制比:65 dB
标称共模抑制比:65 dB
频率补偿:YES (AVCL>=5)
最大输入失调电流 (IIO):0.002 µA
最大输入失调电压:4300 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.9 mm
低-偏置:YES
低-失调:NO
微功率:YES
湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-19 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TR
峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO
电源:+-3.5/+-18/7/36 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
最小摆率:5 V/us
标称压摆率:10 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.35 mA
供电电压上限:19 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:5600 kHz
最小电压增益:500
宽带:NO
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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