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产品型号TLE4205的概述

芯片 TLE4205 概述 TLE4205 是一种高性能的线性稳压器,主要用于汽车以及工业电子设备中的电源管理应用。它能够有效地实现负载电流稳定,并具有较高的抗干扰能力,适合在恶劣环境下工作。TLE4205 提供高达1A的输出电流,工作温度范围广泛,能够适应多种应用场景。该芯片的主要优势在于它的低输出电压失调、低静态电流和高电压输入能力,能够满足现代电子设备对电源的多样化需求。 芯片 TLE4205 的详细参数 TLE4205 的主要技术参数如下: - 输入电压范围: TLE4205 的输入电压可以在4V至45V之间变化,最高可承受额外的瞬态电压,使其在不稳定的供电环境中依旧可以正常工作。 - 输出电压:标准输出电压为5V,其他电压选项也可以定制,通常为3.3V和12V。 - 最大输出电流:在满足散热要求的情况下,最大输出电流可达1A。 - 静态电流:芯片的静态电流为...

产品型号TLE4205的Datasheet PDF文件预览

TLE 4205  
Bipolar IC  
1-A DC Motor Driver  
Overview  
Features  
Max. driver current 1 A  
Integrated free-wheeling diodes  
Short-circuit proof to ground  
Inhibit  
ESD protected inputs  
Temperature range – 40 °C Tj 150 °C  
P-DIP-18-3  
P-DSO-20-6  
Type  
Ordering Code  
Q67000-A9025  
Q67006-A9114  
Package  
TLE 4205  
TLE 4205 G  
P-DIP-18-3  
P-DSO-20-6  
Description  
TLE 4205 is an integrated power full-bridge DC-motor driver for a wide temperature  
range, as required in automotive applications for example. The circuit contains two  
power comparators that can be combined to a full-bridge circuit. For inductive loads  
there are integrated free-wheeling diodes to + VS and ground. The outputs are short-  
circuit proof up to 18 V supply voltage to ground and turn off when overtemperature  
occurs. This IC is especially suitable for headlight-beam adjustment in automobiles.  
Semiconductor Group  
1
1998-02-01  
TLE 4205  
TLE 4205  
TLE 4205 G  
1
2
20  
VS  
Q1  
Q2  
N.C.  
N.C.  
GND  
GND  
GND  
GND  
- Ι2  
Q1  
VS  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
3
N.C.  
GND  
GND  
GND  
GND  
N.C.  
ΙNH  
4
Q2  
GND  
-Ι 2  
5
6
GND  
must be connected  
to Pin 4  
7
8
+Ι2  
9
+Ι 2  
+Ι1  
-Ι1  
10  
+Ι1  
11  
-Ι1  
AEP01318  
INH  
AEP00636  
Figure 1  
Pin Configuration (top view)  
Semiconductor Group  
2
1998-02-01  
TLE 4205  
Pin Definitions and Functions  
Pin No. Symbol Function  
1
Q1  
Output Q1 of channel 1; push-pull B output with DC  
short-circuit protection to ground. Integrated free-wheeling  
diodes to ground and the supply voltage.  
2
VS  
Supply voltage VS; must be blocked to ground with a ceramic  
capacitor of at least 100 nF directly on the pins of the IC.  
3
4
5
Q2  
Output Q2 of channel 2; see pin 1.  
GND  
– I2  
Ground  
Inverting input channel 2; to be wired according to general  
rules.  
6
+ I2  
Non-inverting input channel 2; to be wired according to  
general rules.  
7
8
9
+ I1  
– I1  
INH  
Non-inverting input channel 1; see pin 6.  
Inverting input channel 1; see pin 5.  
Inhibit; the IC is passive when this pin is open or connected to  
ground.  
10-18  
GND  
Ground; must be connected to pin 4.  
Semiconductor Group  
3
1998-02-01  
TLE 4205  
Pin Definitions and Functions (TLE 4205 G)  
Pin No. Symbol Function  
1
Q2  
Output 2 of channel 2; push-pull B output with DC short-circuit  
protection to ground. Integrated free-wheeling diodes to ground  
and the supply voltage.  
2
N.C.  
N.C.  
GND  
– I2  
Not connected  
Not connected  
Ground  
3
4-7  
8
Inverting input channel 2; to be wired according to general  
rules.  
9
+ I2  
Non-inverting input channel 2; to be wired according to  
general rules.  
10  
11  
12  
+ I1  
– I1  
INH  
Non-inverting input channel 1; see pin 9.  
Inverting input channel 1; see pin 8.  
Inhibit; the IC is passive when this pin is open or connected to  
ground.  
13  
N.C.  
GND  
N.C.  
Q1  
Not connected  
14-17  
18  
Ground  
Not connected  
19  
Output Q1 of channel 1, see pin 1.  
20  
VS  
Supply voltage VS; must be blocked with a ceramic capacitor  
of at least 100 nF directly on the pins of the IC.  
Semiconductor Group  
4
1998-02-01  
TLE 4205  
VS  
(20)  
2
T1  
T2  
7
+Ι1  
-Ι1  
+
-
(10)  
8
1
Q1  
(19)  
(11)  
Power Limiting  
for T1, T3  
Temperature  
Protection  
9
INH  
(12)  
T3  
T4  
6
+Ι 2  
-Ι 2  
+
-
(9)  
5
3
Q2  
(1)  
(8)  
(4-7)  
(14-17)  
4, 10-18  
GND  
AEB00637  
Figure 2  
Block Diagram  
Semiconductor Group  
5
1998-02-01  
TLE 4205  
Circuit Description  
The IC contains two amplifiers with typical open-loop gain of 80 dB at 500 Hz.  
The input stages consist of PNP-differential amplifiers. This produces a common-mode  
input range of 0 V to nearly VS and a maximum differential input voltage of VS. The IC is  
guarded against ground shorts by an SOA-protective circuit. The output transistors are  
turned off if the chip temperature exceeds approx. 160 °C. The IC can be turned off by  
an inhibit input, which very much reduces current consumption.  
VS  
(2)  
TLE 4205  
10 kΩ  
10 kΩ  
(6)  
+Ι 2  
(1)  
(3)  
Q1  
Q2  
(5)  
(8)  
-Ι 2  
-Ι1  
10 kΩ  
10 kΩ  
30 kΩ  
(7)  
+Ι1  
200  
kΩ  
10 kΩ  
(9)  
INH  
(4)  
GND  
(10-18)  
GND  
AES00665  
Figure 3  
Circuit Diagram  
Semiconductor Group  
6
1998-02-01  
TLE 4205  
Absolute Maximum Ratings  
Tj = 40 to 150 °C  
Parameter  
Symbol  
Limit Values  
Unit Remarks  
min.  
max.  
45  
Supply voltage  
VS  
– 0.3  
V
V
Differential input voltage  
VID  
± VS  
V6-5 or V7-8  
TLE 4205  
V8-9 or V10-11  
TLE 4205 G  
Output current  
Supply current  
Ground current  
Input voltage  
IQ  
– 1  
2.5  
– 3  
– 15  
1
A
A
A
V
IS  
3
IGND  
VI  
2.5  
VS  
I2  
V5; V6; V7; V8  
TLE 4205  
V8; V9; V10; V11  
TLE 4205 G  
V
V9 TLE 4205  
V12 TLE 4205G  
Inhibit input  
VInh  
– 15  
VS  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
150  
°C  
°C  
Tstg  
– 50  
Operating Range  
Supply voltage  
VS  
TC  
TC  
6
32  
V
Case temperature  
Case temperature  
– 40  
– 40  
105  
95  
°C  
°C  
P
Dmax = 3 W; DIP  
Dmax = 3 W; SO  
P
Thermal resistance  
junction - ambient  
junction - case  
Rth JA  
Rth JC  
60  
15  
K/W TLE 4205  
K/W TLE 4205  
Thermal resistance  
junction - ambient  
junction - case  
Rth JA  
Rth JC  
65  
20  
K/W TLE 4205 G  
K/W TLE 4205 G  
Outputs pin 1 (19) and pin 3 (1) short-circuit proof to GND at VS 18 V for TLE 4205  
(TLE 4205G)  
Semiconductor Group  
7
1998-02-01  
TLE 4205  
Characteristics  
6 V < VS < 18 V; – 40 °C < Tj < 150 °C  
Parameter  
Symbol  
Limit Values  
Unit  
Test Condition  
min.  
typ.  
max.  
General  
Open-circuit  
current consumption  
IS  
10  
10  
10  
30  
mA  
µA  
µs  
active, both outputs  
high  
Open-circuit  
current consumption  
IS  
100  
20  
inhibit  
Turn-ON dead time  
ref. to V9 OFF/ON  
td ON  
|I1,3| < 1 A  
TLE 4205  
|I1,19| < 1 A  
TLE 4205 G  
Turn-OFF dead time td OFF  
ref. to V9 OFF/ON  
10  
80  
20  
µs  
|I1,3| < 1 A  
TLE 4205  
|I1,19| < 1 A  
TLE 4205 G  
Open-loop gain  
GVO  
VIO  
50  
dB  
f = 500 Hz  
Inputs  
Input zero voltage  
Input-voltage drift  
Input zero current  
Input current  
– 7.5  
7.5  
30  
75  
300  
5
mV  
RS = 10 kΩ;  
VIO/T –  
20  
µV/K  
mA  
IIO  
– 75  
II  
– 300 –  
nA  
Input-current drift  
II/T  
nA/K  
Input common-mode VIC  
VS – 2 V  
range, positive  
Input common-mode VIC  
range, negative  
– 0.5  
200  
V
Power-supply  
rejection ratio  
PSSR  
µV/V RS = 10 kΩ;  
dB  
Common-mode  
rejection ratio  
CMRR 70  
80  
Semiconductor Group  
8
1998-02-01  
TLE 4205  
Characteristics (cont’d)  
6 V < VS < 18 V; – 40 °C < Tj < 150 °C  
Parameter  
Symbol  
Limit Values  
Unit  
Test Condition  
min.  
typ.  
max.  
Outputs  
Saturation voltage  
Saturation voltage  
VSat U  
VSat L  
VFU  
1.35  
0.8  
1
1.5  
1.2  
1.5  
V
V
V
IQ = – 0.6 A  
IQ = 0.6 A  
IF = 0.6 A  
Forward voltage of  
free-wheeling diode  
Forward voltage of  
free-wheeling diode  
VFL  
1
1.5  
V
IF = 0.6 A;  
Slew rate of VQ  
dVqdtr  
0.5  
V/µs  
Inhibit Input  
Switching threshold  
high  
VIH  
VIL  
2
V
V
Switching threshold  
low  
0.8  
H-input current  
L-input current  
IIH  
IIH  
100  
0
µA  
µA  
V9 = 5 V  
V9 = 0 V  
Note: VSat U = upper  
VSat L = lower  
Semiconductor Group  
9
1998-02-01  
TLE 4205  
1000 µF  
63 V  
Ι S  
470 nF  
2
Ι ΙNH  
Ι - Ι2  
Ι + Ι2  
Ι - Ι1  
Ι + Ι1  
9
5
6
8
7
Ι Q1  
1
3
VS  
TLE 4205  
RL  
Ι Q2  
V9  
V5  
VQ1  
V6  
V8  
VQ2  
V7  
4, 10-18  
Ι GND  
AES00638  
Figure 4  
Test Circuit  
13.5 V  
2
*)  
100 µF  
100 nF  
9
VΙNH  
7
220 nF  
220 nF  
V+ Ι1  
VQ1  
1Ω  
1Ω  
+
Amp 1  
1
3
8
V- Ι1  
-
M
TLE 4205  
5
-
V- Ι2  
Amp 2  
+
6
V+ Ι2  
VQ2  
4, 10-18  
AES00639  
*) Value depends on load current and wiring inductivity  
Figure 5  
Application Circuit  
Semiconductor Group  
10  
1998-02-01  
TLE 4205  
Forward Voltage of the  
Free-Wheeling Diodes versus  
Junction Temperature  
Start Point of the SOA-  
Protection Circuit versus  
Junction Temperature  
IED00955  
IED00956  
1.6  
2.4  
A
V
Ι F= 0.6 A  
VF  
I
V
FU  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
VFL  
1.6  
VS = 13.5 V  
1.2  
0.8  
0.4  
0
-40  
0
40  
80  
120  
˚C  
-40  
0
40  
80  
120  
˚C  
TJ  
TJ  
Saturation Voltage versus  
Junction Temperature  
Current Consumption versus  
Junction Temperature  
IED00958  
IED00957  
18  
1.6  
IQ = 600 mA  
VS = 13.5 V  
mA  
16  
V
VSat  
I S  
V
Sat U  
14  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
VS = 13.5 V  
12  
10  
8
V
Sat L  
6
4
2
0
-40  
0
40  
80  
120  
˚C  
-40  
0
40  
80  
120  
˚C  
TJ  
TJ  
Semiconductor Group  
11  
1998-02-01  
TLE 4205  
Package Outlines  
P-DIP-18-3  
(Plastic Dual In-line Package)  
±0.2  
7.6  
0.25 +0.1  
~
~
1.2  
6.4 -0.2  
7.6 +1.2  
1.5 max  
2.54  
0.25 18x  
0.45 +0.1  
18  
10  
1
9
22.7 -0.2  
0.4 max  
GPD05035  
Index Marking  
Sorts of Packing  
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our  
Dimensions in mm  
Data Book “Package Information”.  
Semiconductor Group  
12  
1998-02-01  
TLE 4205  
P-DSO-20-6  
(Plastic Dual Small Outline Package)  
0.35 x 45˚  
1)  
7.6 -0.2  
+0.09  
0.23  
8˚ max  
0.4 +0.8  
10.3 ±0.3  
1.27  
0.35 +0.152)  
0.1  
0.2 24x  
20  
1
11  
GPS05094  
10  
1)  
12.8-0.2  
Index Marking  
1) Does not include plastic or metal protrusions of 0.15 max per side  
2) Does not include dambar protrusion of 0.05 max per side  
Sorts of Packing  
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our  
Data Book “Package Information”.  
Dimensions in mm  
SMD = Surface Mounted Device  
Semiconductor Group  
13  
1998-02-01  
配单直通车
TLE4205产品参数
型号:TLE4205
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,
针数:18
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66
模拟集成电路 - 其他类型:BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
JESD-30 代码:R-PDIP-T18
长度:22.7 mm
功能数量:1
端子数量:18
最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:4.2 mm
最大供电电压 (Vsup):32 V
最小供电电压 (Vsup):6 V
表面贴装:NO
技术:BIPOLAR
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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