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| 型号: | TM15T3A-H |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended |
| IHS 制造商： | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | 3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN SERIES DIODE |
| 最大直流栅极触发电流： | 50 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| 快速连接描述： | 3G-3GR |
| 螺丝端子的描述： | 3AK-CA-CK |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X11 |
| 最大漏电流： | 4 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 300 A |
| 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 11 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 23.55 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
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