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| 型号: | TM4100EAD9-60 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | SIMM, SIM30 |
| 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.62 |
| 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N30 |
| 内存密度： | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 30 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX9 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | SIMM |
| 封装等效代码： | SIM30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 20.447 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.009 A |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.945 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
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