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| 型号: | TM4C123BH6ZRBI |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 包装说明： | VFBGA, BGA157,13X13,25 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.A.2 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.78 |
| 具有ADC： | YES |
| 地址总线宽度： | |
| 位大小： | 32 |
| CPU系列： | CORTEX-M4 |
| 最大时钟频率： | 25 MHz |
| DAC 通道： | NO |
| DMA 通道： | YES |
| 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B157 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 9 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| I/O 线路数量： | 120 |
| 端子数量： | 157 |
| 片上程序ROM宽度： | 8 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| PWM 通道： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA157,13X13,25 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字节）： | 32768 |
| ROM（单词）： | 262144 |
| ROM可编程性： | FLASH |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 速度： | 80 MHz |
| 子类别： | Microcontrollers |
| 最大供电电压： | 1.32 V |
| 最小供电电压： | 1.08 V |
| 标称供电电压： | 1.2 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 9 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER, RISC |
| Base Number Matches： | 1 |
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