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| 型号: | TMS32C6205DZWTA200 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LFBGA, BGA288,19X19,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 其他特性： | ALSO REQUIRES 3.3V SUPPLY |
| 地址总线宽度： | 32 |
| 桶式移位器： | NO |
| 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | YES |
| 最大时钟频率： | 200 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 32 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | YES |
| 内部总线架构： | MULTIPLE |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B288 |
| 长度： | 16 mm |
| 低功率模式： | YES |
| DMA 通道数量： | 4 |
| 外部中断装置数量： | 4 |
| 端子数量： | 288 |
| 计时器数量： | 2 |
| 片上数据RAM宽度： | 8 |
| 片上程序ROM宽度： | 8 |
| 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA288,19X19,32 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| RAM（字数）： | 65536 |
| ROM可编程性： | FLASH |
| 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大压摆率： | 290 mA |
| 最大供电电压： | 1.57 V |
| 最小供电电压： | 1.43 V |
| 标称供电电压： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 16 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER |
| Base Number Matches： | 1 |
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