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| 型号: | TMS32C6211BGFNA150 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA256,20X20,50 |
| 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.3 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY |
| 地址总线宽度： | 22 |
| 桶式移位器： | NO |
| 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | YES |
| 最大时钟频率： | 150 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 32 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | YES |
| 内部总线架构： | MULTIPLE |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 27 mm |
| 低功率模式： | YES |
| 湿度敏感等级： | 4 |
| DMA 通道数量： | 16 |
| 外部中断装置数量： | 4 |
| 端子数量： | 256 |
| 计时器数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA256,20X20,50 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 220 |
| 电源： | 1.8,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字数）： | 1024 |
| 座面最大高度： | 2.32 mm |
| 子类别： | Digital Signal Processors |
| 最大供电电压： | 1.89 V |
| 最小供电电压： | 1.71 V |
| 标称供电电压： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 27 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER |
| Base Number Matches： | 1 |
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