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  • 深圳市科雨电子有限公司

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TN0610N3-G产品参数和技术文档

TN0610N3-G产品图

TN0610N3-G产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.98000
$0.98
25
0.81360
$20.34

TN0610N3-G产品参数

品牌:Microchip Technology

描述:MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3

制造商:Microchip Technology

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 750mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

标准包装:1,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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