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  • TN28F001BX-B90图
  • 深圳市领航达电子有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • TN28F001BX-B90
  • 数量1950 
  • 厂家INTEL/英特尔 
  • 封装PLCC32▇▇ 
  • 批号▇▇▇Rohs▇▇▇ 
  • 原装▇军工偏冷门▇质量好价格优▇让少走弯路▇》》》》
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配单直通车
TN28F001BX-B90产品参数
型号:TN28F001BX-B90
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEL CORP
零件包装代码:QFJ
包装说明:0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns
其他特性:DEEP POWER-DOWN; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:1,2,1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.55 mm
部门规模:8K,4K,112K
最大待机电流:0.000002 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1
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