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| 型号: | TN80C186EB25 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | INTEL CORP |
| 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, |
| 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.3 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | DRAM REFRESH CONTROLLER; 3 PROGRAMMABLE TIMERS; EMULATION HARDWARE; NUMERIC COPROCESSOR INTERFACE |
| 地址总线宽度： | 20 |
| 位大小： | 16 |
| 边界扫描： | NO |
| 最大时钟频率： | 50 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 16 |
| 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | NO |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J84 |
| 长度： | 29.3 mm |
| 低功率模式： | YES |
| DMA 通道数量： | |
| 外部中断装置数量： | 6 |
| 串行 I/O 数： | 2 |
| 端子数量： | 84 |
| 片上数据RAM宽度： | |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字数）： | 0 |
| 座面最大高度： | 4.83 mm |
| 速度： | 25 MHz |
| 最大压摆率： | 115 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 29.3 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROPROCESSOR |
| Base Number Matches： | 1 |
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