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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 品超電子(香港)有限公司

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TPC8012-H(TE12L,Q)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSV

包装:Digi-Reel®

零件状态:Digi-Key 停产

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 900mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):440pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)

封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

标准包装:1

其它名称:TPC8012-HDKR TPC8012-HDKR-ND TPC8012-HQDKR TPC8012HTE12LQ

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