TPC8A05-H(TE12L,QM产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：U-MOSV-H

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.3 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1700pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

标准包装：3,000

其它名称：TPC8A05-H(TE12LQM TPC8A05HTE12LQM