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  • 飞弛宏元器件

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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TPC8A05-H(TE12L,QM产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSV-H

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):13.3 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1700pF @ 10V

FET 功能:肖特基二极管(体)

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)

封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

标准包装:3,000

其它名称:TPC8A05-H(TE12LQM TPC8A05HTE12LQM

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