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TPCA8A02-H(TE12LQM产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 34A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSV-H

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3430pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.6W(Ta),45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOP Advance(5x5)

封装/外壳:8-PowerVDFN

标准包装:3,000

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