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TPD1E10B09DPYR产品参数
型号:TPD1E10B09DPYR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:X1SON-2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.46
Samacsys Description:Single-Channel ESD Protection in 0402 Package With 10pF Capacitance and 9V Breakdown
最小击穿电压:9.5 V
击穿电压标称值:9.5 V
最大钳位电压:20 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:90 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.162 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压:9 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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