TPS1120D产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC

制造商：Texas Instruments

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：15V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.17A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-

功率 - 最大值：840mW

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

基本零件编号：TPS1120

标准包装：75

其它名称：296-1352-5

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）