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  • TPW1R306PL,L1Q图
  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • TPW1R306PL,L1Q
  • 数量5122 
  • 厂家Toshiba Semiconductor and Storage 
  • 封装8-DSOP Advance 
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  • 0755+84501032 QQ:1158840606
配单直通车
TPW2900ENH产品参数
型号:TPW2900ENH
生命周期:Active
包装说明:DSOP-8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):36 A
最大漏源导通电阻:0.029 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-F5
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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