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| 型号: | TS1GSK64W6H |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | DIMM, |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N204 |
| 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 68719476736 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 204 |
| 字数： | 1073741824 words |
| 字数代码： | 1000000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 1GX64 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 30.15 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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