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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号TSD40N50V的概述

芯片TSD40N50V的概述 TSD40N50V是一款高性能的功率MOSFET,主要用于电源管理及开关电源设计。这款芯片广泛应用于各类电子设备,如电源适配器、LED驱动器以及电机控制等领域。由于其卓越的电气特性与高可靠性,TSD40N50V受到了众多设计工程师的青睐。 芯片TSD40N50V的详细参数 TSD40N50V的主要电气参数包括: 1. 最大漏极-源极电压(VDS):这一参数通常在50V范围内,适合中小功率应用。 2. 最大漏极电流(ID):在25°C的环境温度下,最大漏极电流可达到40A。 3. 栅极阈值电压(VGS(th)):通常在2V至4V之间,保障了MOSFET在低电压下也能正常工作。 4. 导通电阻(RDS(on)):在10V栅极驱动下,导通电阻大约为0.04Ω,这对提高能效具有重要意义。 5. 功耗(PD):在适当的散热情况下,功耗最大可达75W。 6. 工作温度...

产品型号TSD435的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
TSD435产品参数
型号:TSD435
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
标称电路换相断开时间:5 µs
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:200 mA
最大漏电流:5 mA
通态非重复峰值电流:250 A
最大通态电流:35000 A
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C
断态重复峰值电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO
触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1
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